Na początku maja br. firma Intel ogłosiła, że z końcem 2011 r. rozpocznie masową produkcję 22 nanometrowych procesorów Ivy Bridge. Procesory te będą zbudowane z trójbramkowych tranzystorów tzw. „Tri-Gate” . Tranzystor ten został wynaleziony przez naukowców i inżynierów Intela w 2002 r. Wdrożenie tej technologii do masowej produkcji jest wynikiem prawie 9 lat badań.

Nowe tranzystory 3 D Tri-Gate pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych, czego wynikiem będzie zwiększona wydajność i zmniejszenie zapotrzebowania na energię w porównaniu do poprzedniej generacji tranzystorów. Nowe tranzystory oferują do 37% więcej wydajności przy niskim napięciu w porównaniu do poprzedniej 32 nm generacji. Tranzystor 3D Tri-Gate przy zachowaniu tej samej wydajności zużywa o ponad 50% mniej energii niż 32 nm.

W tranzystorze trójbramkowym tradycyjne płaskie dwuwymiarowe bramki zostają zastąpione przez cienkie trójwymiarowe, pionowe „żebro” / kanał tranzystora, którym poruszają się elektrony/ wystające z krzemowego podłoża/. Istotę działania tranzystora przedstawia poniższy rysunek/.

Kontrola  przepływającej energii ma obecnie miejsce z 3 stron „żebra” – dwóch po bokach i jednej z góry – w przeciwieństwie do tylko jednostronnej kontroli od góry w tranzystorach planarnych. Ponad 6 mln tranzystorów 3D Tri-Gate mieści się na powierzchni takiej jak powierzchnia kropki na końcu tego zdania.

Procesory będą produkować 4 firmy w USA / D1D i D1C w Oregon i Fab 12 oraz 32 w Arizonie/  oraz  jedna w Izraelu / Fab 28/.

Źródło: portal www.hwupgrade.it. Artykuł “Intel, in Ivy Bridge transistor 3D con  litografia a 22 nm” z 05.05 2011 r.

Przetłumaczył i opracował T.W. Więcej informacji : Adres poczty elektronicznej jest chroniony przed robotami spamującymi. W przeglądarce musi być włączona obsługa JavaScript, żeby go zobaczyć.